Blog

Нанобумажный транзистор изготовлен в Мерилендском университете

07
Мар

Создание транзисторов на базе обычной бумаги сопровождается рядом негативных эффектов, связанных с структурными особенностями этого природного материала. Дело в том, что современные транзисторы имеют маленькие размеры и особые требования к гладкости поверхности. Бумага же становится непригодной для этой цели уже на уровне микрометра, тогда как транзисторное производство давно оперирует наноразмерами. Это несоответствие и удалось ликвидировать ученым американского университета.

Путем сложной, многоэтапной обработки бумаги особыми энзимами, удалось создать так называемую нанобумагу – с толщиной и гладкостью требуемых характеристик. Одновременно с этим получилось сделать нанобумагу почти прозрачной – степень прозрачности составляет более 87%. Вкратце, технология производства нанобумажного транзистора заключается в следующем – на прозрачную и сверхтонкую бумажную пластину закрепляются углеродные нанотрубки, а поверх них наносятся чернила с добавлением проводника. Третий слой завершает конструкцию, имея двойное назначение – и как действующий, активный компонент, и как усиление надежности всего транзистора. Третий слой представляет собой сеть нанотрубок, выполняющая роль электродов. Работоспособность устройства не нарушается даже в свернутом состоянии нанобумаги.