Blog

4D-транзистор

07
Мар

Нацфонд США, занимающийся финансированием исследований, выпустил пресс-релиз о достижении американских ученых, занимающихся поиском реальной альтернативы кремниевым транзисторам. Прототип альтернативного транзистора состоит из 3 трубок наноразмеров, выполненных из индия, мышьяка и галлия. Транзисторы особой формы, заменившие стандартный, плоские, объединяются в цепь параллельно, усиливая и без того высокую мощность. Кроме того, нанотрубки в сборе при сильном увеличении очень напоминают…новогоднюю елку – каждая следующая трубка имеет размеры меньшие, чем предыдущая.

Транзисторы получили название 4D из-за того, что ученые опирались на опыт коллег, выпустивших 3D-транзистор. Название основывается на том, что транзисторы располагаются как в вертикальной, так и горизонтальной плоскости. Таким образом достигается не только увеличение полезной плоскости, но и скорость работы микросхем на базе 3D-транзисторов. Четверка означает следующий шаг в разработке, замену материала пластины с кремния на комбинацию из арсенида, галлия и индия. Длина затвора, переключающего логику с ноля на единицу, в предыдущей версии была 22 нм, теперь ученые работают над получением прототипа с 14 и 10 нм, в 2015 и 2018 годах соответственно. Слой диэлектрика, выступающий изоляцией, при дальнейшем уменьшении размеров придется заменить. Существующий состав в размерах затвора ниже 22 нм имеет неустранимые утечки. Проблему, возможно, решит новый, двухкомпонентный диэлектрик – смесь оксида алюминия и алюмината лантана.